Ma Zon (馬佐恩) 專案 助理教授 - 電子組
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實 驗 室
最高學歷
泰國朱拉隆功大學電機博士
重要經歷
國立中興大學電機工程系 專案助理教授 (2024/02~迄今)
國立中興大學電機工程系 博士後研究員 (2022/10~2024/01)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2021/10~2022/09)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2020/10~2021/09)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2018/10~2019/09)
國立中興大學電機工程系 博士後研究員 (2022/10~2024/01)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2021/10~2022/09)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2020/10~2021/09)
泰國朱拉隆功大學工程學院電機系 博士後研究員 (2018/10~2019/09)
研究領域
Opto-Electronic devices and applications
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Optical and Electrical Properties of Semiconductor Nanostructures
Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Optical and Electrical Properties of Semiconductor Nanostructures
學術服務
榮譽獎勵
˙2014-2018 ASEAN University Network/Southeast Asia Engineering Education Development Network (AUN/SEED-Net) Scholarship by JICA for PhD in Electrical Engineering
˙2015 Best Paper Award, 8th AUN/SEED-Net RCEEE, 11th ERDT Conference, Manila, Philippines
˙2018 The journal paper reported as the first author, Zon et al, “Growth-Rate-Dependent Properties of GaSb/GaAs Quantum Dots on (001) Ge Substrate by Molecular Beam Epitaxy”, Physica Status Solidi A 1800499-1-1800499-6 (2018) has been selected for annual journal cover of Physica Status Solidi A 2018.
˙2015 Best Paper Award, 8th AUN/SEED-Net RCEEE, 11th ERDT Conference, Manila, Philippines
˙2018 The journal paper reported as the first author, Zon et al, “Growth-Rate-Dependent Properties of GaSb/GaAs Quantum Dots on (001) Ge Substrate by Molecular Beam Epitaxy”, Physica Status Solidi A 1800499-1-1800499-6 (2018) has been selected for annual journal cover of Physica Status Solidi A 2018.
學術著作