師資介紹 電子組
  1. 師資介紹
  2. Professor
 
  1. 電子組
 
  1. 張書通Shu-Tong Chang
  2.  
        1. 職稱
        2. 教授
        1. 學歷
        2. 國立台灣大學電機工程博士
        1. 電話
        2. (04)22851549轉702
  3. 重要經歷
  4. 中國工程師學會監事(2017/6~迄今)
    國立中興大學電機工程學系暨光電所教授(2012/8/1~迄今)
    台積電-臺大聯合研發中心成員(2013~迄今)
    科技部大聯盟計畫-7-5nm半導體技術節點研究Co-PI(2013~迄今)
    經濟部能源局業界能專計畫」技審委員(2016~迄今)
    T3奈米科技研發聯盟產學合作組成員(2008~迄今)
    中興大學出版中心理工學門編輯委員(2017/1~迄今)
    國際電機電子工程學會(IEEE)會員 (Member) (2003/1~迄今)
    日本電子情報通信協會(IEICE)海外會員(2003/1~迄今)
    自強基金會顧問(2012/3/20~2015/3/19)
    彰化縣地方產業創新研發推動計畫技術審查委員(2012/5/24~迄今)
    國立中興大學電機工程學系暨光電所副教授(2008/8/1~2012/31)
    力芯科技顧問(2007/7~迄今)
    國立中興大學奈米中心研發組組長(2007/2~2009/7)
    國立中興大學電機工程學系助理教授 (2005/8/1 ~ 2008/7/31)
    工研院電子所顧問(2003/8-2005/12)。
    中原大學電子系助理教授(2003/2/1-2005/7/31)。
  5.  
  6. 研究領域
  7. 1.二維材料與元件之理論研究
    2.半導體製程與元件TCAD模擬
    3.四族半導體合金技術
    4.負電容電晶體元件技術
  8.  
  9. 學術服務
  10. (1)擔任奈米中心研發組組長(2007/2~2009/8)。
    (2)擔任台灣光電研討會OPT 2008會議籌備委員與OPT 2009與2010議程委員。
    (3)擔任ISTDM 2008 國際矽鍺技術與元件研討會local committee與poster section chair。
    (4)擔任IEEE EDSSC 2007國際電子元件與固態電路會議論文審稿委員。
    (5)擔任經濟部工業局九十五年度半導體學院人才培訓計畫-短期班「CMOS製程整合」計畫主持人 (2007/3~2007/11)。
    (6)經濟部工業局九十六年度影像顯示產業人才培訓計畫-「光電元件物理」講員 (2007/8~2007/11)
    (7)經濟部工業局九十六年度半導體學院人才培訓計畫-長期班「CMOS製程整合」講員 (2007/7~2007/11)
    (8)第四、五兩屆「北北區影像顯示科技人才培育計畫 - 中學教師研習營隊」-TFT 元件TCAD 模擬課程講師 (2007/11/1~3與2008/11/1~3)
    (9) 2008年 – 第六屆海峽兩岸奈米科學與技術研討會暨2008清淨科技產業合作高峰論壇,籌備委員。
    (10) 2008年9月-獲IEEE RTP 2008 (快速熱製程) 國際會議大會主席邀請至美國拉斯維加司擔任WORKSHOP之2 hr短期課程講員。
    (11) 受邀擔任過下列期刊之reviewer,協助審查期刊論文
    SCI期刊
    1. Semiconductor Science and Technology.
    2. Materials Science in Semiconductor Processing
    3. IEEE Electron Device Letter
    4. IEEE Trans. Electron Device
    5. Journal of the Chinese Institute of Engineers
    6. IEEE Photonic Technology Letter
    7. Nanoscale Research Letters
    8. Thin Solid Films
    9. Journal of Alloy and Compounds
    10. Japanese Journal of Applied Physics
    11. Journal of Applied Physics
    12. IEEE Transactions on VLSI Systems
    13. International Journal of Automation and Smart Technology
    (12) 2007年,指導博士班學生王維敬獲ISDRS(國際半導體元件會議)poster 論文獎入圍。
    (13) 2008年,指導碩士班學生劉昌維獲MRS(國際材料研究學會會議)poster論文獎入圍。
    (14) 2007年,擔任台灣大學研究發展委員會校內專利外審委員。
    (15) 2008年11月,擔任IEDMS2008國際電子元件與材料會議公關主席與審稿委員。
    (16) 2008年11月,邀請比利時Katholieke Universiteit Leuven專家Dr. Robert Pierre Mertens來台短期訪問與到校演講,並獲國科會補助相關費用約十萬元。
    (17) 2008年12月,邀請IBM華生研究中心研究員林重勳博士來台短訪問與到校演講。
    (18)2009年到2010年擔任經濟部學研計畫審查委員。
    (19) 2010年8月獲考試院聘任擔任99年度公務人員高普考閱卷委員。
    (20) 2014年11月,擔任IEDMS2014國際電子元件與材料會議議程委員。
    (21) 2015年11月,擔任IEDMS2015國際電子元件與材料會議議程委員。
    (22) 2016年11月,擔任IEDMS2016國際電子元件與材料會議議程委員。






  11.  
  12. 榮譽獎勵
  13. (1) 獲得電機系學生票選九十五與九十七年度優良教師第三名。
    (2) 獲得工學院評選光電工程研究所九十六學年度「優良導師」殊榮。
    (3) 共同指導物理系博士班生廖淑慧獲九十六學年度斐陶斐會員殊榮。
    (4) 共同指導物理系博士班生吳易駿獲九十七學年度斐陶斐會員殊榮。
    (5) 指導電機系碩士生曾志峰九十五學年度斐陶斐會員殊榮。
    (6) 指導光電所碩士班生劉昌維與何仁愉共同獲第一屆光電所畢業成績 第一名殊榮。
    (7) 指導電機系博士生王維敬九十八學年度斐陶斐會員殊榮。
    (8) 指導電機系碩士生陳俞均九十八學年度斐陶斐會員殊榮。
    (9) 指導博士生王維敬獲九十七年度工學院學生論文獎特優獎。
    (10) 指導王維敬等博士生投稿工學院工程學刊獲九十七年度優秀論文獎。
    (11) 獲得九十九年度工學院傑出青年教師獎
    (12) 獲得一百年度工學院傑出服務教師獎
    (13) 指導電機系博士生謝秉峰101學年度斐陶斐會員殊榮。
    (14) 獲得一零二年度中興大學工程及數理科學組-傑出青年教師獎勵
    (15) 指導電機系碩士生鄔銘廷102學年度斐陶斐會員殊榮。
    (16) 指導電機系碩士生羅儀庭102學年度斐陶斐會員殊榮。
    (17) 指導電機系碩士生朱維正104學年度斐陶斐會員殊榮。
    (18) 導生韓宙樺獲中興大學104學年度大學部應屆優秀畢業生獎之德智 獎


  14.  
  15. 著作目錄
    1. A.期刊論文
      1. 1.
      2. Ming-Ting Wu, Jun-Wei Fan, Kuan-Ting Chen, Shu-Tong Chang, Chung-Yi Lin, “Band Structure and Effective Mass in Monolayer MoS2,” Journal of Nanoscience and Nanotechnology, vol.15, pp.9151–9157, November 2015. (SCI)
      1. 2.
      2. S.-Y. Cheng, K.-T. Chen, and S. T. Chang, “Impact of Strain on Hole Mobility in the Inversion Layer of PMOS Device with SiGe Alloy Thin Film,” Thin Solid Films, vol.584, pp.135–140, June 2015. (SCI)
      1. 3.
      2. Chia-Feng Lee, Ren-Yu He, Kuan-Ting Chen, Shu-Ying Cheng, Shu-Tong Chang, “Strain engineering for electron mobility enhancement of strained Ge NMOSFET with SiGe alloy source/drain stressors,” Microelectronic Engineering, vol.138 , pp. 12–16, January 2015. (SCI)
      1. 4.
      2. Kuan-Ting Chen, Jun-Wei Fan, Shu-Tong Chang, and Chung-Yi Lin, “Subband Structure and Effective Mass in the Inversion Layer of a Strain Si-Based Alloy P-Type MOSFET,” Journal of Nanoscience and Nanotechnology, vol.15, pp.2168, January 2015. (SCI)
      1. 5.
      2. M. H. Lee, P.-G. Chen and S. T. Chang, “Analysis of Si:C on Relaxed SiGe by Reciprocal Space Mapping for MOSFET Applications,” ECS Journal of Solid State Science and Technology, vol.3, pp.259-262, January 2014. (SCI)
      1. 6.
      2. M. H. Lee, B.-F. Hsieh, S. T. Chang, “Electrical properties correlated with redistributed deep states in a-Si:H thin-film transistors on flexible substrates undergoing mechanical bending,” Thin Solid Films, vol.528, no.15, pp.82-85, January 2013. (SCI)
      1. 7.
      2. Shu-Tong Chang, Jun Wei Fan, Chung-Yi Lin, Ta-Chun Cho, Ming Huang, “Hole effective masses of p-type metal-oxide-semiconductor inversion layer in strained Si1-xGex alloys channel on (110) and (111) Si substrates ,” Journal of Applied Physics, vol.111, no.3, pp.033712-033712-8, February 2012. (SCI)
      1. 8.
      2. S.T. Chang, B.-F. Hsieh, Y.-C. Liu, “A simulation study of thin film tandem solar cells with a nanoplate absorber bottom cell,” Thin Solid Films, vol.520, no.8, pp.3369-3373, February 2012. (SCI)
      1. 9.
      2. Wen-Kai Lin, Kou-Chen Liu, Shu-Tong Chang, Chi-Shiau Li, “Room temperature fabricated transparent amorphous indium zinc oxide based thin film transistor using high-κ HfO2 as gate insulator,” Thin Solid Films, vol.520, no.7, pp.3079-3083, January 2012. (SCI)
      1. 10.
      2. Ting-Hsiang Huang, Kou-Chen Liu, Zingway Pei, Wen-Kai Lin, Shu-Tong Chang, “A poly(styrene-co-methyl methacrylate)/room-temperature sputtered hafnium oxide bi-layer dielectrics as gate insulator for a low voltage organic thin-film transistors,” Organic Electronics, vol.12, pp.1527-1532, January 2011. (SCI)
      1. 11.
      2. C.J. Chiu , Z.W. Pei , S.T. Chang , S.P. Chang , S.J. Chang, “Effect of oxygen partial pressure on electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors fabricated by thermal annealing,” Vacuum, vol.86, pp.246-249, January 2011. (SCI)
      1. 12.
      2. M. H. Lee, S. T. Chang, T.-H. Wu, W.-N. Tseng, “Driving Current Enhancement of Strained Ge (110) p-type Tunnel FETs and Anisotropic Effect,” IEEE Electron Device Letter, vol.32, pp.1355-1357, January 2011. (SCI)
      1. 13.
      2. M. H. Lee, S. T. Chang, B.-F. Hsieh, J.-J. Huang, and C.-C. Lee, “Analysis and Modeling of Nano-Crystalline Silicon TFTs on Flexible Substrate with Mechanical Strain,” Journal of Nanoscience and Nanotechnology, vol.11, pp.1-4, January 2011. (SCI)
      1. 14.
      2. Wen-Kai Lin, Kou-Chen Liu, Jyun-Ning Chen, Sung-Cheng Hu and Shu-Tong Chang, “The influence of fabrication process on top-gate thin-film Transistors,” Thin Solid Films, vol.519, pp.5126-5130, January 2011. (SCI)
      1. 15.
      2. Bing-Fong Hsieh and Shu-Tong Chang, “Subband Structure and Effective Mass of Relaxed and Strained Ge (110) PMOSFETs,” Solid-State Electronics, vol.60, pp.37-41, January 2011. (SCI)
      1. 16.
      2. Ting-Hsiang Huang , Zingway Pei , Wen-Kai Lin , Shu-Tong Chang , Kou-Chen Liu , “Oligomer semiconductor/dielectric interface modification for organic thin film transistor hysteresis reduction,” Thin Solid Films, vol.518, pp. 7381-7384, January 2010. (SCI)
      1. 17.
      2. M. H. Lee,S. T. Chang, C.-C. Lee,J.-J. Huang, G.-R. Hu,Y.-S. Huang, “The Gap State Density of Micro/Nano-Crystalline Silicon Active Layer on Flexible Substrate ,” Thin Solid Films , vol.518, pp.S246-S249, January 2010. (SCI)
      1. 18.
      2. M. H. Lee, S. T. Chang, S. Maikap, C.-Y. Peng, and C.-H Lee, , “High Ge Content of SiGe Channel p-MOSFETs on Si (110) Surfaces,,” IEEE Electron Device Letters, 2010, vol.31, no.2, pp.141-143, January 2010. (SCI)
      1. 19.
      2. C.-Y. Peng, C.-F. Huang, Y.-C. Fu, Y.-H. Yang, C.-Y. Lai, S.-T. Chang, and C. W. Liu, “Comprehensive study of the Raman shifts of strained silicon and germanium,” Journal of Applied Physics, vol.105, no.083537-1-10, pp.083537-1-10, April 2009. (SCI)
      1. 20.
      2. Z. Pei,S. T. Chang, C. W. Liu, Y.C. Chen, “Numerical Simulation on the Photovoltaic Behavior of an Amorphous Silicon Nanowire Array Solar Cell,” IEEE Electron Device Letter , vol.30, pp.1305-1307, January 2009. (SCI)
      1. 21.
      2. Min-Hung Lee, S. T. Chang, Yi-Chun Wu, Ming Tang, and Chung-Yi Lin, “Mechanical Bending Cycles of Hydrogenated Amorphous Silicon Layer on Plastic Substrate by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Use in Flexible Displays,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.48, pp.021301-1-4, January 2009. (SCI)
      1. 22.
      2. Cheng-Yi Peng, Ying-Jhe Yang, Yen-Chun Fu, Ching-Fang Huang, Shu-Tong Chang, and CheeWee Liu, “Effects of Applied Mechanical Uniaxial and Biaxial Tensile Strain on the Flat-band Voltage of (001), (110) and (111) Metal-Oxide-Silicon Capacitors,” IEEE Trans. Electron Dev., vol.56, no.1736-1745, January 2009. (SCI)
      1. 23.
      2. S. T. Chang, “Strain Effect and Surface Orientation on Drive Current Enhancement of Ballistic Germanium n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.47, pp.5345-5351, January 2008. (SCI)
      1. 24.
      2. Y.-J. Yang, W. S. Ho, C.-F. Huang, S. T. Chang, and C. W. Liu, “Electron mobility enhancement in strained-germanium n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors,” Applied Phys. Lett., vol.91, pp.102103-1-3, January 2007. (SCI)
      1. 25.
      2. S. T. Chang, Y. H. Liu, M.-H. Lee, S. C. Lu, and M.-J. Tsai, “Optimal Ge Profile Design for Base Transit Time of Si/SiGe HBTs,” Materials Science in Semiconductor Processing, vol.8, pp.289-294, January 2005. (SCI)
      1. 26.
      2. S. T. Chang, C. W. Liu, and S. C. Lu, “Base Transit Time of Graded-Base Si/SiGe HBTs Considering Recombination Lifetime and Velocity Saturation,” Solid State Electronics, vol.48, pp.207-215, January 2004. (SCI)
      1. 27.
      2. B.-C. Hsu, C.-H. Lin, P.-S. Kuo, S. T. Chang, P. S. Chen, C. W. Liu, J. –H. Lu, and C. H. Kuan, “Novel MIS Ge-Si Quantum Dot Infrared Photodetectors,” IEEE Electron Device Lett., vol.25, pp.544-546, January 2004. (SCI)
      1. 28.
      2. C. Y. Lin, S. T. Chang, and C. W. Liu, “Hole Effective Mass in Strained Si1-xCx Alloys on Si (001) Substrate,” Journal of Applied Physics, vol.96, pp.5037-5041, January 2004. (SCI)
      1. 29.
      2. B.-C. Hsu, S. T. Chang, T.-C. Chen, P.-S. Kuo, P. S. Chen, Z. Pei, and C. W. Liu, “A High Efficient 820 nm MOS Ge Quantum Dot Photodetector,” IEEE Electron Device Lett., vol.24, pp.318-320, January 2003. (SCI)
      1. 30.
      2. S. T. Chang, C. Y. Lin, and C. W. Liu, “Energy Band Structure of Strained Si1-xCx alloys on Si(001) Substrate,” Journal of Applied Physics, vol.92, pp.3717-3723, January 2002. (SCI)
    2. C.專書
      1. 1.
      2. 李敏鴻、張書通, “Chapter 8 應變矽製程 ,” 新世代積體電路製程技術 , September 2011.
      1. 2.
      2. 劉致為、張書通, “利用機械應變矽增加積體電路速度的方法,,” 知識創新,第五十四期, December 2004.
      1. 3.
      2. 曾華洲、張書通, “矽鍺電晶體,” 電子與材料雜誌24期, pp.42-57.
      1. 4.
      2. 劉致為、張書通, “矽鍺技術,” 電子月刊九月號第98期, 積體電路技術專輯, pp.110-119.
    3. D.技術報告
      1. 1.
      2. 張書通, “局部應變矽造成應變矽CMOS效應研究,” 工研院學界合作計畫期末報告, .
    4. E.專利
      1. 1.
      2. 李敏鴻、張書通、陸新起、劉致為, “應變矽碳場效電晶體,” 證書號:I 270986;中華民國專利, January 2007.
      1. 2.
      2. C.Y. Yu, S.-R. Jan, S. T. Chang, C. W. Liu, “METHOD WITH MECHANICALLY STRAINED SILICON FOR ENHANCING SPEED OF INTERGRATED CIRCUITS OR DEVICES,” US 7,307,004, pp.US patent, January 2007.
      1. 3.
      2. M.-H Lee, S. T. Chang, S. C. Lu, C. W. Liu, “Strained Silicon Carbon MOFET Structure and Fabrication Method Thereof,” US 7091522 B2;US patent, January 2006.
      1. 4.
      2. 張書通、黃仕澔、劉致為, “應變矽鰭形場效電晶體,” 中華民國專利,證書號:I 231994.
      1. 5.
      2. 張書通、黃仕澔、劉致為, “利用機械應變矽增加積體電路速度的方法,” 中華民國專利,公告編號:557484,證書號:191047.
      1. 6.
      2. 張書通、李敏鴻, “對稱性N型/P型金屬絕緣場效電晶體之組合結構及其製造方法,” 證書號:I 307959, .
 
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